北京量子信息科学研究院科研仪器设备深硅高密度等离子体刻蚀机单一来源采购公示
微信分享
关注项目
标讯收藏
| 项目名称 | 省份 | ||
| 业主单位 |
认领
立即查看
|
业主类型 | |
| 总投资 | 建设年限 | ||
| 建设地点 | |||
| 审批机关 | 审批事项 | ||
| 审批代码 | 批准文号 | ||
| 审批时间 | 审批结果 | ||
| 建设内容 | |||
一、项目信息
采购人：北京量子信息科学研究院
项目名称：科研仪器设备深硅高密度等离子体刻蚀机
拟采购的货物或者服务的说明：
深硅高密度等离子体刻蚀机1套。
拟采购的货物或服务的预算金额：750.0000000 万元（人民币）
采用单一来源采购方式的原因及说明:
随着超导量子芯片的发展，要求超导量子芯片有更高的集成度。传统超导量子芯片的架构方式，无法满足超导比特数量急剧的增加。为了实现超导量子芯片的集成度需求，业内越来越多的研究把芯片的设计从二维平面拓展到了基于硅穿孔的三维结构。超导量子计算团队也在进行这个方向的研究工作。
实现超导量子芯片三维结构的首要条件是进行硅通孔刻蚀，然后在通孔中填充超导金属材料，实现通孔两侧的电联接。针对深宽比较高的硅通孔刻蚀，需要采用具备Bosch 工艺能力的设备进行。这一步工艺对于开发三维结构的超导量子计算芯片至关重要。
目前，具备Bosch功能的深硅刻蚀设备可以完成此项工作的通孔刻蚀，所需要的技术要点包括：
（1）设备主机占地（长*宽*高）小于3m*1.5m*2.2m。
（2）设备采用双工艺腔结构，两个工艺腔室可同时进行深刻蚀工艺；
（3）设备具备Bosch 工艺能力，同时可以实现高刻蚀深宽比垂直通孔刻蚀。
（4）具备快速切换进气系统，保证较短的切换时间进而实现较低的侧壁粗糙度。
（5）要有安全措施保证射频及气体不会给实验人员带来伤害。
（6）要有自动传输系统，以保证样品和腔体的洁净度。
（7）刻蚀设备可以适用于最大200 mm晶圆衬底。
（8）在200 mm晶圆及以下衬底上，刻蚀深宽比≥10:1，深度均匀性 < ±3%，刻蚀侧壁角度小于＜90±0.5°。
设备具有两个工艺腔室，可以同时进行两个样片的刻蚀，尽可能保证工艺条件的一致性，也可以提高刻蚀工艺的效率。另外，如果单个腔室出现异常，另一个腔室也可以进行工艺，不影响芯片加工的进度。超导量子计算团队承担关键攻关任务，芯片的加工周期都是按照工作计划来进行，硅通孔刻蚀是超导量子芯片加工的重要工艺步骤，双腔室结构设备保证任务的实施尽可能不受到设备故障带来的影响。
目前满足深硅刻蚀设备技术要求且满足设备主机占地尺寸要求的供应商，仅有北京北方华创微电子设备有限公司。
北方华创属于我国国内集成电路设备制造龙头企业，产品主力为刻蚀机、PVD、CVD、炉管、清洗机等产品，产品线具备大规模量产的能力。
在刻蚀技术方面，包括系统设计和工艺开发，已经有丰富的经验积累，深硅刻蚀设备已有超过130台出货。深硅高密度等离子体刻蚀机HSE M200是利用沉积(C4F8气体)-刻蚀(SF6气体)交替进行的Bosch刻蚀工艺方法，实现高宽深比的硅穿孔刻蚀。HSE M200均可以满足需要的指标参数。并且HSE M200 系统的可靠性和工艺的成熟度已经被国内多个课题组所证明。
所以，基于上述理由，选择北京北方华创微电子设备有限公司做为本采购项目的唯一供应商。
二、拟定供应商信息
名称：北京北方华创微电子设备有限公司
地址：北京市经济技术开发区文昌大道8号。
三、公示期限
2023年09月04日 至 2023年09月08日
四、其他补充事宜：
1、本公告在中国政府采购网发布。
2、专家论证意见及专家姓名、工作单位、职称等信息详见附件。
3、有关单位和个人如对公示内容有异议，请在2023年9月8日之前以实名书面（包括联系人、地址、联系电话等）形式向采购人、采购代理机构反馈。
五、联系方式
1.采购人
联系人：北京量子信息科学研究院
地址：北京市海淀区西北旺东路10号院西区3号楼
联系方式：登录即可免费查看
2.财政部门
联系人：北京市财政局采购处
联系地址：北京市通州区承安路3号
联系电话：010-55592405
3.采购代理机构信息
名 称：中国机电工程招标有限公司
地 址：北京市海淀区车公庄西路乙19号华通大厦B座南塔14层
联系方式：姜琳琳、喻晓娇、付颖、张博，19191010791、18411081085
采购人：北京量子信息科学研究院
项目名称：科研仪器设备深硅高密度等离子体刻蚀机
拟采购的货物或者服务的说明：
深硅高密度等离子体刻蚀机1套。
拟采购的货物或服务的预算金额：750.0000000 万元（人民币）
采用单一来源采购方式的原因及说明:
随着超导量子芯片的发展，要求超导量子芯片有更高的集成度。传统超导量子芯片的架构方式，无法满足超导比特数量急剧的增加。为了实现超导量子芯片的集成度需求，业内越来越多的研究把芯片的设计从二维平面拓展到了基于硅穿孔的三维结构。超导量子计算团队也在进行这个方向的研究工作。
实现超导量子芯片三维结构的首要条件是进行硅通孔刻蚀，然后在通孔中填充超导金属材料，实现通孔两侧的电联接。针对深宽比较高的硅通孔刻蚀，需要采用具备Bosch 工艺能力的设备进行。这一步工艺对于开发三维结构的超导量子计算芯片至关重要。
目前，具备Bosch功能的深硅刻蚀设备可以完成此项工作的通孔刻蚀，所需要的技术要点包括：
（1）设备主机占地（长*宽*高）小于3m*1.5m*2.2m。
（2）设备采用双工艺腔结构，两个工艺腔室可同时进行深刻蚀工艺；
（3）设备具备Bosch 工艺能力，同时可以实现高刻蚀深宽比垂直通孔刻蚀。
（4）具备快速切换进气系统，保证较短的切换时间进而实现较低的侧壁粗糙度。
（5）要有安全措施保证射频及气体不会给实验人员带来伤害。
（6）要有自动传输系统，以保证样品和腔体的洁净度。
（7）刻蚀设备可以适用于最大200 mm晶圆衬底。
（8）在200 mm晶圆及以下衬底上，刻蚀深宽比≥10:1，深度均匀性 < ±3%，刻蚀侧壁角度小于＜90±0.5°。
设备具有两个工艺腔室，可以同时进行两个样片的刻蚀，尽可能保证工艺条件的一致性，也可以提高刻蚀工艺的效率。另外，如果单个腔室出现异常，另一个腔室也可以进行工艺，不影响芯片加工的进度。超导量子计算团队承担关键攻关任务，芯片的加工周期都是按照工作计划来进行，硅通孔刻蚀是超导量子芯片加工的重要工艺步骤，双腔室结构设备保证任务的实施尽可能不受到设备故障带来的影响。
目前满足深硅刻蚀设备技术要求且满足设备主机占地尺寸要求的供应商，仅有北京北方华创微电子设备有限公司。
北方华创属于我国国内集成电路设备制造龙头企业，产品主力为刻蚀机、PVD、CVD、炉管、清洗机等产品，产品线具备大规模量产的能力。
在刻蚀技术方面，包括系统设计和工艺开发，已经有丰富的经验积累，深硅刻蚀设备已有超过130台出货。深硅高密度等离子体刻蚀机HSE M200是利用沉积(C4F8气体)-刻蚀(SF6气体)交替进行的Bosch刻蚀工艺方法，实现高宽深比的硅穿孔刻蚀。HSE M200均可以满足需要的指标参数。并且HSE M200 系统的可靠性和工艺的成熟度已经被国内多个课题组所证明。
所以，基于上述理由，选择北京北方华创微电子设备有限公司做为本采购项目的唯一供应商。
二、拟定供应商信息
名称：北京北方华创微电子设备有限公司
地址：北京市经济技术开发区文昌大道8号。
三、公示期限
2023年09月04日 至 2023年09月08日
四、其他补充事宜：
1、本公告在中国政府采购网发布。
2、专家论证意见及专家姓名、工作单位、职称等信息详见附件。
3、有关单位和个人如对公示内容有异议，请在2023年9月8日之前以实名书面（包括联系人、地址、联系电话等）形式向采购人、采购代理机构反馈。
五、联系方式
1.采购人
联系人：北京量子信息科学研究院
地址：北京市海淀区西北旺东路10号院西区3号楼
联系方式：登录即可免费查看
2.财政部门
联系人：北京市财政局采购处
联系地址：北京市通州区承安路3号
联系电话：010-55592405
3.采购代理机构信息
名 称：中国机电工程招标有限公司
地 址：北京市海淀区车公庄西路乙19号华通大厦B座南塔14层
联系方式：姜琳琳、喻晓娇、付颖、张博，19191010791、18411081085
微信扫码关注
