鸿之微DASP半导体缺陷和杂质性质的第一性原理计算软件-广西大学-竞价公告(CB105932024000056)
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广西大学 - 竞价公告 (CB105932024000056)
发布时间：2024-04-08 16:15:10 截止时间：2024-04-11 17:00:00
基本信息：
申购主题：鸿之微DASP半导体缺陷和杂质性质的第一性原理计算软件
报价要求：国产含税
发票类型：增值税专用发票
付款方式：货到验收合格后付款
送货时间：合同签订后7天内送达
安装要求：免费上门安装（含材料费）
预算：99,800.00 人民币
收货地址：广西壮族自治区/南宁市/西乡塘区/****
供应商资质：
备注说明：
采购明细：
| 序号 | 采购内容 | 数量/单位 | 预算单价 | 品牌 | 型号 | 规格参数 | 质保及售后服务 | 附件 |
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| 1 | 鸿之微DASP半导体缺陷和杂质性质的第一性原理计算软件 | 1/套 | 登录即可免费查看 | 鸿之微 | DASP | 1. 热力学稳定性计算模块TSC：读入半导体晶体结构，开展第一性原 理结构和能量计算，并访问Materials Project等材料基因组数据库获取化合物半导体的竞争相信息，根据计算和数据库下载的结果，确定化合物半导体的关键竞争相，计算其热力学分解能、能使其纯相稳定的元素化学势范围，可以作为热力学稳定性判断和进一步缺陷和杂质性质计算的输入。 2. 缺陷（杂质）能量计算模块DEC ：读入半导体晶体结构，构建近 似立方的超原胞，基于对称性全面考虑各种缺陷和杂质构型，产生包含缺陷和杂质的超原胞，调用第一性原理软件开展结构优化、电子结构和能量计算；根据结果预测缺陷和杂质可能的离化带电状态，并进一步开展带电缺陷和杂质的计算。根据第一性原理计算结果和TSC模块的结果自动计算缺陷的形成能和离化能级，并自动计算各项误差修正。 3. 缺陷（杂质）浓度计算模块DDC：读入TSC和DEC模块计算结构 预测不同化学势和温度条件下制的半导体样品中各类缺陷和杂质的浓度、费米能级位置和载流子浓度，给出其随元素化学、制备温度和工作温度的变化。DDC计算结果可以用于确定半导体的关键缺陷和杂质，并与实验测量的浓度结果对比，为缺陷和杂质、载流子浓度调控提供定量依据。 4. 载流子动力学计算模块CDC：读入DDC模块计算结果，确定关键 缺陷和杂质，基于费米能级信息确定关键的载流子激发态动力学过程，开展声子和电声耦合性质计算，据此进一步计算光致发光谱、载流子的辐射和非辐射俘获截面、速率等参数，结合缺陷和杂质浓度信息计算非平衡少子寿命。 ★5. 可以单独执行DASP 4模块。 ★6. 计算流程化，使用便捷，可以作为工业界半导体器件仿真TCAD软件的前序模拟工具。 | 1、供应商投标时必须提供所报设备的品牌和型号（品牌和型号均需提供），如不填写视为不满足；2、所有设备要求免费送货上门、免费安装调试、保修期内免费上门保修；3、设备必须原厂包装，必须当用户面拆封；4、原则上不接受物流和快递送货。如采用物流和快递送货的必须在报价说明中注明，申购用户认可的，方可成交；5、其他按行业标准提供服务； |
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