高功率激光器热沉及980nm泵浦激光器芯片与模块项目拟批准公示
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| 项目名称 | 省份 | ||
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业主类型 | |
| 总投资 | 建设年限 | ||
| 建设地点 | |||
| 审批机关 | 审批事项 | ||
| 审批代码 | 批准文号 | ||
| 审批时间 | 审批结果 | ||
| 建设内容 | |||
建设地点：南通高新技术产业开发区双福路126号；
建设单位：度亘光电科技(南通)有限公司；
环评机构：南京源恒环境研究所有限公司；
项目概况：度亘光电拟投资1.1亿元利用现有厂房剩余空间，并新租赁B 栋、C栋空置厂房及甲类仓库，购置磁控溅射镀膜生产线、镀铜线、镍金线及MOCVD等生产设备，建设高功率激光器热沉及980nm泵浦激光器芯片与模块项目。高功率激光器热沉生产工艺：陶瓷基板-激光定位孔-有机清洗-无机清洗-溅射镀膜-光刻1-蚀刻-去胶1-光刻2-电镀铜-抛光/抛平-去胶2-电镀镍金-激光裁边打标-等离子清洗-酸洗-蒸发镀膜-划片-检验分选。980nm半导体激光泵浦模块生产工艺：封装盒-超声清洗-贴片-等离子清洗-打金线-测试/目检-回流焊-管脚剪切-管脚焊接-调光-管嘴密封-管壳封盖-测试/检验-包装入库。
GaAs/InP外延片生产工艺：GaAs、InP衬底-检测-生长N型GaAs层-生长量子阱层-生长P型AIGaAs层-生长P型GaAs 层-降温取片-测试-包装入库。GaN蓝绿激光器外延片生产工艺：GaN衬底-检测-生长N型AlGaN层-生长InGaN量子阱层-生长InGaN波导层-生长P型AlGaN电子阻挡层-生长P型AlGaN/GaN层-降温取片-测试-包装入库。配套辅具机加工生产工艺：铜排、铝块、不锈钢等-下料-退火-CNC加工-超声波清洗-烘干-目检去毛刺-装配-烧结-打磨-喷砂-涂覆(委外)。项目总投资11000万元，其中环保投资950万元，环保投资占比8.64%。本项目新增职工60人，年生产312天，三班制，每班8小时，全年工作7488小时，不提供食宿。主要环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施如下：
（1）水污染防治。厂区实行“清污分流、雨污分流”的排水体制。初期雨水经光电产业园雨水管网收集后排入市政污水管网，最终进入南通溯天环保科技有限公司，后期雨水经产业园区雨水管网收集后排入新江海河。生活污水经化粪池预处理后接管通州区益民水处理有限公司，尾水 排入通甲河，最终汇入新江海河。含铊废水经含铊废水处理系统(工艺：二级碱性氯化法破氰+硫化物反应+MCR 超滤+RO反渗透+低温蒸发)处理后回用于镀金后清洗，低温蒸发浓液作为危废处置；综合废水经综合废水处理系统(工艺：砂滤+碳滤+UF超滤+RO反渗透)处理后作为间接冷却系统、废气处理系统补充水，浓水汇入生产废水总排口；机加工废水经“破乳+气浮”预处理后与有机废水一并汇入有机废水处理系统(工艺：SBR工艺)处理，含镍废水经含镍废水处理系统(工艺：芬顿氧化+二级混凝沉淀+MCR超滤+碳滤+树脂吸附)处理，含砷废水经含砷废水处理系统(工艺：高级氧化+钙盐/铁盐化学沉淀+MCR 超滤+碳滤+树脂吸附)处理，含铜废水经含铜废水处理系统(工艺：混凝沉淀) 处理，含氰废水经含氰废水处理系统(工艺：二级破氰)处理，含氟废水经含氟废水处理系统(工艺：混凝沉淀)处理，上述预处理后的废水与纯水制备浓水、冷却系统排水一并接管南通溯天环保科技有限公司，尾水排入金乐二号横河，最终汇入新江海河。生活污水排放口执行益民水处理有限公司接管标准；综合废水回用执行《城市污水再生利用工业用水水质》(GB/T19923-2005) 表1冷却用水标准，含铊废水回用执行企业自定回用标准；车间或生产设施排口排放的总镍、总砷执行《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020) 表1间接排放限值，生产废水总排口除总磷、总氰化物、阴离子表面活性剂、总有机碳、石油类、总砷、总铜、总镍排放执行《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020) 表1间接排放限值，氟化物参照执行《地表水环境质量标准》(GB3838-2002) 中 IV 类标准，其余因子执行南通溯天环保科技有限公司接管标准。
（2）大气污染防治。高功率激光器热沉生产线：有机清洗废气、去胶废气由管道收集、压膜废气由集气罩收集，合并经二级活性炭吸附装置处理后通过30米 高3#排气筒排放；无机清洗、蚀刻、电镀铜线、电镀镍金线等产生的酸碱废气由管道收集，经一级酸喷淋+一级碱喷淋装置处理后通过30米高4#排气筒排放；电镀镍金线产生的含氰废气由管道收集，经一级碱喷淋装置处理后通过30米高5#排气筒排放；废水废液收集间废气由集气罩收集，经一级酸喷淋+一级碱喷淋+一级活性炭吸附装置处理后通过30米高6#排气筒排放。外延片生产线：GaAs/InP 外延生长废气由管道收集，经MOCVD 炉自带砷磷过滤桶处理后进入湿法尾气处理装置；烤盘炉废气由管道收集，经设备自带多孔性固体吸附+尾气吸附装置处理；GaN 蓝绿激光器外延生长废气由管道收集，经MOCVD 炉自带滤筒过滤后进入等离子燃烧装置；石墨基座原位清洁废气由管道收集，经吸附式尾气处理器处理；烤盘炉废气由管道收集，经设备自带多孔性固体吸附装置处理；上述预处理后的废气合并进入一级碱喷淋装置，处理后通过30米高7#排气筒排放。外延石英件和滤筒清洗废气由管道收集，经一级碱喷淋装置处理后通过30米高8#排气筒排放。980nm半导体激光泵浦模块生产线：超声清洗废气由集气罩收集 依托现有一级水喷淋+气水分离器+二级活性炭吸附装置处理后通过15米高1#排气筒排放。污水处理站废气由池体加盖负压收集，经一级酸喷淋+一级碱喷淋+一级活性炭吸附装置处理后通过30米高9#排气筒排放。危废仓库2废气负压收集，经二级活性炭吸附装置处理后通过15米高10#排气筒排放。激光定位打孔废气、切割裁边打标废气、喷砂废气、打磨废气由各 设备自带滤筒除尘器处理后无组织排放；调光废气、管嘴密封废气、回流焊废气、管路擦拭废气与上述未收集部分均无组织排放。1#、3#-8#排气筒排放的非甲烷总烃、异丙醇、氟化物、硫酸雾、氯 化氢、氰化氢、颗粒物、砷化氢、磷化氢、氮氧化物、氨和氯气执行《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表3标准限值，碱雾参照执行上海地标《大气污染物综合排放标准》(DB31/933-2015) 表1标准限值，9#排气筒排放的氨、硫化氢、臭气浓度执行《恶臭污染物排放标准》(GB14554-93) 表2标准限值，10#排气筒排放的非甲烷总烃执行《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021) 表1标准限值。厂界无组织排放的非甲烷总烃、硫酸雾、氯化氢、氰化氢执行《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020) 表4标准限值，颗粒物、 氟化物、氮氧化物、锡及其化合物执行《大气污染物综合排放标准》 (DB32/4041-2021) 表3标准限值，氨、硫化氢、臭气浓度执行《恶臭 污染物排放标准》(GB14554-93) 表1标准限值，厂区内无组织排放非甲烷总烃执行《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021)表2 标准限值。
（3）噪声污染防治噪声源包括各类生产设备、空压机、冷却塔及风机等，通过选用低噪音设备、合理布局、隔声减振等措施，厂界噪声满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)3类标准。
（4）固体废物污染防治。一般工业固废：收集尘、废金坩埚、废过滤器、基板边角料、废膜 (UV 膜和蓝膜)、废金线、金属边角料、废白刚玉、纯水制备产生的废物(含废滤芯、废RO 膜、废石英砂、废活性炭等)、废载具、新风废过滤器、废纸板塑料收集后外售或委外处置。危险废物：各类废液(含氟废液、碱性废液、显影废液、蚀刻废液、 镀镍废液、剥挂废液等)、废干膜、废胶、废切削液、废活性炭、污水处理站各类污泥、含铊废液、污水处理站产生的废膜及废吸附材料、沾 染有机溶剂的擦拭废布、废化学品包装材料、在线监测废液收集后委托有资质单位处置。
生活垃圾由环卫部门清运。
公示时间：2024年5月11日~2023年5月16日（5个工作日）
公众反馈意见联系方式：
联系电话：0513-86028926
联系地址：南通高新区行政审批局项目投资科（通州区政务服务中心三楼高新区服务大厅）
电子邮件：994629318@qq.com
联系人：顾晨
邮编：226300
听证告知：依据《中华人民共和国行政许可法》，自公告起五日内申请人、利害关系人可对上述拟作出建设项目环境影响评价文件批复决定要求听证。
建设单位：度亘光电科技(南通)有限公司；
环评机构：南京源恒环境研究所有限公司；
项目概况：度亘光电拟投资1.1亿元利用现有厂房剩余空间，并新租赁B 栋、C栋空置厂房及甲类仓库，购置磁控溅射镀膜生产线、镀铜线、镍金线及MOCVD等生产设备，建设高功率激光器热沉及980nm泵浦激光器芯片与模块项目。高功率激光器热沉生产工艺：陶瓷基板-激光定位孔-有机清洗-无机清洗-溅射镀膜-光刻1-蚀刻-去胶1-光刻2-电镀铜-抛光/抛平-去胶2-电镀镍金-激光裁边打标-等离子清洗-酸洗-蒸发镀膜-划片-检验分选。980nm半导体激光泵浦模块生产工艺：封装盒-超声清洗-贴片-等离子清洗-打金线-测试/目检-回流焊-管脚剪切-管脚焊接-调光-管嘴密封-管壳封盖-测试/检验-包装入库。
GaAs/InP外延片生产工艺：GaAs、InP衬底-检测-生长N型GaAs层-生长量子阱层-生长P型AIGaAs层-生长P型GaAs 层-降温取片-测试-包装入库。GaN蓝绿激光器外延片生产工艺：GaN衬底-检测-生长N型AlGaN层-生长InGaN量子阱层-生长InGaN波导层-生长P型AlGaN电子阻挡层-生长P型AlGaN/GaN层-降温取片-测试-包装入库。配套辅具机加工生产工艺：铜排、铝块、不锈钢等-下料-退火-CNC加工-超声波清洗-烘干-目检去毛刺-装配-烧结-打磨-喷砂-涂覆(委外)。项目总投资11000万元，其中环保投资950万元，环保投资占比8.64%。本项目新增职工60人，年生产312天，三班制，每班8小时，全年工作7488小时，不提供食宿。主要环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施如下：
（1）水污染防治。厂区实行“清污分流、雨污分流”的排水体制。初期雨水经光电产业园雨水管网收集后排入市政污水管网，最终进入南通溯天环保科技有限公司，后期雨水经产业园区雨水管网收集后排入新江海河。生活污水经化粪池预处理后接管通州区益民水处理有限公司，尾水 排入通甲河，最终汇入新江海河。含铊废水经含铊废水处理系统(工艺：二级碱性氯化法破氰+硫化物反应+MCR 超滤+RO反渗透+低温蒸发)处理后回用于镀金后清洗，低温蒸发浓液作为危废处置；综合废水经综合废水处理系统(工艺：砂滤+碳滤+UF超滤+RO反渗透)处理后作为间接冷却系统、废气处理系统补充水，浓水汇入生产废水总排口；机加工废水经“破乳+气浮”预处理后与有机废水一并汇入有机废水处理系统(工艺：SBR工艺)处理，含镍废水经含镍废水处理系统(工艺：芬顿氧化+二级混凝沉淀+MCR超滤+碳滤+树脂吸附)处理，含砷废水经含砷废水处理系统(工艺：高级氧化+钙盐/铁盐化学沉淀+MCR 超滤+碳滤+树脂吸附)处理，含铜废水经含铜废水处理系统(工艺：混凝沉淀) 处理，含氰废水经含氰废水处理系统(工艺：二级破氰)处理，含氟废水经含氟废水处理系统(工艺：混凝沉淀)处理，上述预处理后的废水与纯水制备浓水、冷却系统排水一并接管南通溯天环保科技有限公司，尾水排入金乐二号横河，最终汇入新江海河。生活污水排放口执行益民水处理有限公司接管标准；综合废水回用执行《城市污水再生利用工业用水水质》(GB/T19923-2005) 表1冷却用水标准，含铊废水回用执行企业自定回用标准；车间或生产设施排口排放的总镍、总砷执行《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020) 表1间接排放限值，生产废水总排口除总磷、总氰化物、阴离子表面活性剂、总有机碳、石油类、总砷、总铜、总镍排放执行《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020) 表1间接排放限值，氟化物参照执行《地表水环境质量标准》(GB3838-2002) 中 IV 类标准，其余因子执行南通溯天环保科技有限公司接管标准。
（2）大气污染防治。高功率激光器热沉生产线：有机清洗废气、去胶废气由管道收集、压膜废气由集气罩收集，合并经二级活性炭吸附装置处理后通过30米 高3#排气筒排放；无机清洗、蚀刻、电镀铜线、电镀镍金线等产生的酸碱废气由管道收集，经一级酸喷淋+一级碱喷淋装置处理后通过30米高4#排气筒排放；电镀镍金线产生的含氰废气由管道收集，经一级碱喷淋装置处理后通过30米高5#排气筒排放；废水废液收集间废气由集气罩收集，经一级酸喷淋+一级碱喷淋+一级活性炭吸附装置处理后通过30米高6#排气筒排放。外延片生产线：GaAs/InP 外延生长废气由管道收集，经MOCVD 炉自带砷磷过滤桶处理后进入湿法尾气处理装置；烤盘炉废气由管道收集，经设备自带多孔性固体吸附+尾气吸附装置处理；GaN 蓝绿激光器外延生长废气由管道收集，经MOCVD 炉自带滤筒过滤后进入等离子燃烧装置；石墨基座原位清洁废气由管道收集，经吸附式尾气处理器处理；烤盘炉废气由管道收集，经设备自带多孔性固体吸附装置处理；上述预处理后的废气合并进入一级碱喷淋装置，处理后通过30米高7#排气筒排放。外延石英件和滤筒清洗废气由管道收集，经一级碱喷淋装置处理后通过30米高8#排气筒排放。980nm半导体激光泵浦模块生产线：超声清洗废气由集气罩收集 依托现有一级水喷淋+气水分离器+二级活性炭吸附装置处理后通过15米高1#排气筒排放。污水处理站废气由池体加盖负压收集，经一级酸喷淋+一级碱喷淋+一级活性炭吸附装置处理后通过30米高9#排气筒排放。危废仓库2废气负压收集，经二级活性炭吸附装置处理后通过15米高10#排气筒排放。激光定位打孔废气、切割裁边打标废气、喷砂废气、打磨废气由各 设备自带滤筒除尘器处理后无组织排放；调光废气、管嘴密封废气、回流焊废气、管路擦拭废气与上述未收集部分均无组织排放。1#、3#-8#排气筒排放的非甲烷总烃、异丙醇、氟化物、硫酸雾、氯 化氢、氰化氢、颗粒物、砷化氢、磷化氢、氮氧化物、氨和氯气执行《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表3标准限值，碱雾参照执行上海地标《大气污染物综合排放标准》(DB31/933-2015) 表1标准限值，9#排气筒排放的氨、硫化氢、臭气浓度执行《恶臭污染物排放标准》(GB14554-93) 表2标准限值，10#排气筒排放的非甲烷总烃执行《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021) 表1标准限值。厂界无组织排放的非甲烷总烃、硫酸雾、氯化氢、氰化氢执行《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020) 表4标准限值，颗粒物、 氟化物、氮氧化物、锡及其化合物执行《大气污染物综合排放标准》 (DB32/4041-2021) 表3标准限值，氨、硫化氢、臭气浓度执行《恶臭 污染物排放标准》(GB14554-93) 表1标准限值，厂区内无组织排放非甲烷总烃执行《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021)表2 标准限值。
（3）噪声污染防治噪声源包括各类生产设备、空压机、冷却塔及风机等，通过选用低噪音设备、合理布局、隔声减振等措施，厂界噪声满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)3类标准。
（4）固体废物污染防治。一般工业固废：收集尘、废金坩埚、废过滤器、基板边角料、废膜 (UV 膜和蓝膜)、废金线、金属边角料、废白刚玉、纯水制备产生的废物(含废滤芯、废RO 膜、废石英砂、废活性炭等)、废载具、新风废过滤器、废纸板塑料收集后外售或委外处置。危险废物：各类废液(含氟废液、碱性废液、显影废液、蚀刻废液、 镀镍废液、剥挂废液等)、废干膜、废胶、废切削液、废活性炭、污水处理站各类污泥、含铊废液、污水处理站产生的废膜及废吸附材料、沾 染有机溶剂的擦拭废布、废化学品包装材料、在线监测废液收集后委托有资质单位处置。
生活垃圾由环卫部门清运。
公示时间：2024年5月11日~2023年5月16日（5个工作日）
公众反馈意见联系方式：
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联系地址：南通高新区行政审批局项目投资科（通州区政务服务中心三楼高新区服务大厅）
电子邮件：994629318@qq.com
联系人：顾晨
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