[HF20241166]硅基调制器加工服务成交公告
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| 项目名称 | 省份 | ||
| 业主单位 |
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业主类型 | |
| 总投资 | 建设年限 | ||
| 建设地点 | |||
| 审批机关 | 审批事项 | ||
| 审批代码 | 批准文号 | ||
| 审批时间 | 审批结果 | ||
| 建设内容 | |||
1.项目名称：硅基调制器加工服务
2.成交供应商名称：中国科学院苏州纳米所与纳米仿生研究所
3.成交供应商地址：苏州工业园区若水路398号
4.成交金额(人民币)：18.00万元
5.付款方式：合同签订后14个工作日内付合同金额30%，服务完成且验收合格后14个工作日内付合同金额70%尾款。
6.主要成交标的：
华中科技大学武汉光电国家研究中心
2024年05月22日
2.成交供应商名称：中国科学院苏州纳米所与纳米仿生研究所
3.成交供应商地址：苏州工业园区若水路398号
4.成交金额(人民币)：18.00万元
5.付款方式：合同签订后14个工作日内付合同金额30%，服务完成且验收合格后14个工作日内付合同金额70%尾款。
6.主要成交标的：
| 序号 | 服务内容 | 服务期限 |
| 1 | 光刻 - 匀胶、曝光、显影等光刻工艺 | 2026.12.31前 |
| 2 | 氧化硅刻蚀-刻蚀氧化硅，主要使用到的仪器为AOE刻蚀机 | |
| 3 | 硅波导和深硅刻蚀 -刻蚀硅，主要使用到的仪器为STS-HRM | |
| 4 | 镀膜-沉积氮化硅上包层氧化硅，主要用PECVD-1 | |
| 5 | SEM电镜表征- 使用扫描电镜对器件图形形貌观察表征主要使用仪器冷场发射扫描电镜JSM-6710F | |
| 6 | 离子注入-用于半导体工艺中的掺杂工艺，主要使用离子注入机NSC-4028 | |
| 7 | 退火-用于硅及化合物半导体材料离子注入后的缺陷消除/激活杂质，主要使用快速退火炉Allwin 21 |
华中科技大学武汉光电国家研究中心
2024年05月22日
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