中国工程物理研究院电子工程研究所MEMS晶圆/表芯高真空探针测试系统采购项目竞争性谈判公告（第二次）
微信分享
关注项目
标讯收藏
| 项目名称 | 省份 | ||
| 业主单位 |
认领
立即查看
|
业主类型 | |
| 总投资 | 建设年限 | ||
| 建设地点 | |||
| 审批机关 | 审批事项 | ||
| 审批代码 | 批准文号 | ||
| 审批时间 | 审批结果 | ||
| 建设内容 | |||
| 项目概况 MEMS晶圆/表芯高真空探针测试系统采购项目的潜在供应商应在四川省绵阳市游仙区科学城物资部获取竞争性谈判文件，并于2021年9月16日14点45分（北京时间）前提交响应文件。 |
一、采购项目基本情况
1.项目编号：WTSB21061600073；
2.项目名称：MEMS晶圆/表芯高真空探针测试系统；
3.预算金额：98万元；
4.最高限价：95.2万元；
5.采购需求：MEMS晶圆/表芯高真空探针测试系统一套，具体要求附后；
6.合同履行期限：2021年12月20日；
7.本项目不接受联合体响应
8．本项目是否接受进口产品：否
二、申请人的资格要求
1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定：
2.本项目的特定资格要求：
2.1参加本次采购活动前3年内，供应商单位及其现任法定代表人不得具有行贿犯罪记录；
2.2截至提交响应文件截止时间，供应商不得为“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）、中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）中被列入失信被执行人或重大税收违法案件当事人名单或政府采购严重违法失信行为记录名单中被财政部门禁止参加政府采购活动的供应商（处罚决定规定的时间和地域范围内）；
2.3被列入中国工程物理研究院不良行为记录名单的供应商及其法定代表人名下的其他企业在禁止期内不得参加本次釆购活动；
2.4单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得参加同一合同项下的政府采购活动。为采购项目提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商，不得再参加该采购项目的其他采购活动；
三、获取竞争性谈判文件
1.时间：2021年9月7日至2021年9月10日，每天上午8:10至11:30，下午14:30至17:30（北京时间，法定节假日除外）。
2.地点：四川省绵阳市游仙区科学城中物院物资部。
3.方式：免费现场领取、邮件发送或邮寄（邮资到付）。获取竞争性谈判文件时，供应商需向联系人提供经办人身份证明材料（身份证明材料包括：供应商为法人或者其他组织的，需提供单位介绍信、经办人身份证明；供应商为自然人的，需提供本人身份证明）和联系电话、邮箱。
联系人：登录即可免费查看
联系电话：登录即可免费查看/13778066869
电子邮箱：2735964220@qq.com
4.确认以上资料无误后，采购代理机构工作人员将竞争性谈判文件电子版发送到供应商所留邮箱。
四、提交响应文件截止时间和地点
截止时间:2021年9月16日14点45（北京时间）；
地点：四川省绵阳市科学城中物院招投标交易中心（科学城九区动力部内）。
五、开启
时间：2021年9月16日14点45（北京时间）；
地点：四川省绵阳市科学城中物院招投标交易中心（科学城九区动力部内）。
六、公告期限
自本公告发布之日起3个工作日。
七、其他补充事宜
1.本项目需要落实的政府采购政策：扶持不发达地区和少数民族地区、促进中小企业发展政策、支持监狱企业发展政策、促进残疾人就业政策、优先购买节能产品政策、优先购买环境标志产品政策、强制购买节能产品政策、优先采购无线局域网认证产品政策、《关于开展政府采购信用担保试点工作的通知》。
2.响应文件必须在提交响应文件截止时间前送达提交响应文件地点。逾期送达或未按照竞争性谈判文件要求密封的响应文件不予接收。本次采购不接受邮寄的响应文件。
3.本公告在中国工程物理研究院招投标信息网上发布。
八、凡对本次采购提出询问，请按以下方式联系
1.采购人信息
名称：中国工程物理研究院电子工程研究所
地 址：四川绵阳游仙区绵山路64号
联系方式:登录即可免费查看
2.采购代理机构信息
名称：中国工程物理研究院物资部
地 址：四川省绵阳市游仙区科学城中物院物资部
联系方式：登录即可免费查看
3.项目联系方式
项目联系人：登录即可免费查看
电 话：登录即可免费查看
2021年9月6日
附件：
MEMS晶圆/表芯高真空探针测试系统技术要求
1 概述
本项目研制MEMS晶圆/表芯高真空探针测试系统。该测试系统主要用于4寸晶圆圆片级材料特性（几何特征、电阻率）检测，以及MEMS微器件流片过程中的表芯特性测试，其中表芯特性测试需提供高真空（≤1e-4Pa）以及高低温环境（-120℃~200℃）。
测试系统主要由以下功能模块构成：
l 高真空高低温探针台（真空腔室内集成速率旋转机构）；
l 电学驱动与检测模块；
l 多通道高速采样与处理模块；
l 晶圆几何特征与电阻率测试模块。
2 适用范围
本要求规定了MEMS晶圆/表芯高真空探针测试系统在研制、检验、验收、包装运输及售后服务期等环节的技术要求，适用于MEMS晶圆/表芯高真空探针测试系统研制、交付及售后服务全过程。
3 引用文件
本项目无引用文件。
4 技术要求
4.1 产品主要功能及指标
★1）高真空高低温探针台（一台）：
a）真空度：≤1e-4Pa；
b）高低温加载范围：-120℃～200℃,温度精度：优于0.01℃；
c）光学显微模块：光学放大倍率不小于100×；
d）系统接口：电信号接口、真空接口、冷源接口；
e）探针臂6个，探针卡4套（每套探针卡搭配探针数量不少于4个），探针直径30μm~80μm，探针位移范围：X方向不小于50mm；Y、Z方向分别不小于15mm；
f）内置旋转机构工作方式：位置、速率、摇摆，旋转速率范围不大于20°/s。
★2）电学驱动与检测模块（一套）：
（a）模拟输入范围：±3.5V；频率范围：DC~50MHz；A/D转换位数：14bit，采样率210MS/s；
（b）模拟输出范围：±10mV，±100mV，±1V，±10V；频率范围：DC~50MHz；D/A转换位数：16bit，210MS/s；
（c）2个独立锁相单元，2个信号发生器；每个锁相单元支持1个基频检测和2个谐波检测；
（d）软件具备频率响应分析、FFT频谱分析、示波显示；
（e）解调器数量：6个双相；滤波器时间常数1μs~500s，滤波器阶数6、12、18、24、30dB/Oct，滤波器带宽80μHz~220kHz，参考频率分辨率0.7μHz；参考相位分辨率1e-6°；
（f）内部振荡器输出正弦波，±1V，10MHz，内部振荡器稳定性30ppm；
（g）USB2.0（或以上）高速接口，480Mbit/s，前置放大器控制总线ZCtrl专有总线控制外部前置放大器，同步总线Zsync专有总线连接ZI本地仪器，数字I/O32位；
★3）多通道高速采样与处理模块（一套）
a）4个数据采集通道；
b）采样速率：200kS/s；
c）ADC类型：双24bit delta-sigma；
d）处理模块：数学运算（线性函数、三角函数、矩阵、复数、逻辑计算、FFT等）、数字滤波（IIR、FIR）、统计运算。
★4）多功能晶片检测模块：
a）厚度及翘曲度晶片检测系统（一套）
晶片尺寸：四英寸圆片；
厚度测试范围0.1mm~1mm，绝对偏差≤±1微米，重复性1δ≤0.15微米，线性度±0.3%；
TTV测试范围≤200微米，绝对偏差≤±0.5微米，重复性1δ≤0.25微米；
翘曲度测试范围≤0.1mm，弯曲度测试范围≤±0.1mm；
b）晶片电阻率检测系统（一套）
晶片厚度范围：0.2mm~0.75mm；
电阻率测试范围0.001Ω·cm~0.7Ω·cm，绝对偏差≤±3%@0.5mm，重复性≤1.5%@0.5mm。
4.2 技术路线
技术路线由供方自行制定。
5 质量控制要求
5.1 一般要求
a) 乙方应按照双方商定的技术协议内容完成测试系统研制；
b) 若因乙方原因导致测试系统未达到相应指标要求，乙方应及时查明原因并采取相应解决措施，重新完成相关指标考核内容。
5.2 研制阶段划分
合同签订之日起为T0。
★ 研制阶段划分为2个阶段：阶段性考察、项目验收，具体时间节点如下表所示：
| 时间 | 研究主要内容 | 备注 |
| T0+3月 | 项目阶段性考察 | |
| 2021年12月20日之前 | 项目验收 | |
项目阶段性考察为赴厂考察测试系统研制进展、研制情况。
6 用户验收规定
6.1 验收条件
a）产品的技术状态符合合同和技术协议要求；
b）配套技术文件资料齐全；
c）研制过程中出现的质量问题均已归零并有明确结论。
6.2 验收项目
按照技术协议内容完成测试系统研制和性能验证试验，并完成研制总结报告。需交付的文件与需完成的试验清单如表1所示。
表1 需交付的文件与需完成的试验清单
| 序号 | 产品名称 | 单位 | 数量 |
| 一 | 文件类 | | |
| 1 | 《MEMS晶圆/表芯高真空探针测试系统研制总结报告》 | 份 | 1 |
| 二 | 产品类 | | |
| 2 | MEMS晶圆/表芯高真空探针测试系统 | 套 | 1 |
验收项目、方法及判据见表2所示。
表2 验收项目、方法及判据
| 序号 | 验收项目 | 验收方法 | 合格判据 | |||
| 1. | 高真空高低温探针台 | 真空度 | 读取设备的真空度传感器显示值（真空度传感器具有合格证） | ≤1e-4Pa | ||
| 高低温加载范围 | 读取设备的温控模块显示值（温度传感器具有合格证） | -120℃～200℃ | ||||
| 温度精度 | 现场测试 | 0.01℃ | ||||
| 光学放大倍率 | 合格证及说明书标称值 | 不小于100× | ||||
| 系统接口 | 接口功能测试：采用导通测试电信号接口、采用真空功能测试真空接口、采用高低温加载测试冷源接口 | 具备电信号接口、真空接口、冷源接口 | ||||
| 探针臂及探针卡数量 | 计数测量 | 探针臂6个，探针卡4套（每套探针卡搭配探针数量不少于4个） | ||||
| 探针直径 | 量具测量 | 30μm~80μm | ||||
| 探针位移范围 | 量具测量 | X方向不小于50mm；Y、Z方向分别不小于15mm | ||||
| 内置旋转机构 | 现场测试 | 具备位置、速率、摇摆工作方式，旋转速率范围不大于20°/s | ||||
| 2. | 电学驱动与检测模块 | 现场测试 | （a）模拟输入范围：±3.5V；频率范围：DC~50MHz；A/D转换位数：14bit，采样率210MS/s； | |||
| 现场测试 | （b）模拟输出范围：±10mV，±100mV，±1V，±10V；频率范围：DC~50MHz；D/A转换位数：16bit，210MS/s； | |||||
| 出厂测试报告 | （c）2个独立锁相单元，2个信号发生器；每个锁相单元支持1个基频检测和2个谐波检测； | |||||
| 现场测试 | （d）软件具备频率响应分析、FFT频谱分析、示波显示； | |||||
| 出厂测试报告 | （e）解调器数量：6个双相；滤波器时间常数1μs~500s，滤波器阶数6、12、18、24、30dB/Oct，滤波器带宽80μHz~220kHz，参考频率分辨率0.7μHz；参考相位分辨率1e-6° | |||||
| 现场测试 | （f）内部振荡器输出正弦波，±1V，10MHz，内部振荡器稳定性30ppm | |||||
| 出厂测试报告 | （g）USB2.0（或以上）高速接口，480Mbit/s，前置放大器控制总线ZCtrl专有总线控制外部前置放大器，同步总线Zsync专有总线连接ZI本地仪器，数字I/O32位 | |||||
| 3. | 多功能多通道高速采样与信号处理模块 | 出厂检验报告 （包含各通道精度检测结果、滤波器功能检测结果） | 单个通道具备双24位delta-sigma转换器，内置抗混叠滤波器，采样率：200kS/s/通道，同步采样；输入精度：±0.1% 读数±1mV@500mV量程，采集通道动态范围@10kS（双AD模式）：160dB@10V量程。 | |||
| 出厂检验报告（包含IEPE激励电流检测结果） | IEPE模式下传感器激励电流：2、4、8、12、16 或 20 mA； TEDS支持：IEPE模式下支持TEDS信息读取，软件智能识别传感器； | |||||
| 现场测试 | 数据采集分析软件可以同步采集电压、电流、IEPE/ICP、振动、声压、频率、脉冲、占空比、视频等各种信号，具有数字表、记录仪、示波器、棒形图、频谱图、3D瀑布图、FFT、XY记录仪等显示工具； 计数器/频率通道具备传感器供电能力：5V/100mA,12V 、50mA； 尺寸：≤150*150*70mm 重量：≤0.85kg（净重） 供电：5V直流（USB供电） | |||||
| 4. | 多功能晶片检测模块 | 厚度及翘曲度晶片检测系统 | 晶片尺寸 | 现场测试 | 四英寸圆片 | |
| 厚度测试范围及精度 | 现场测试 | 厚度测试范围0.1mm~1mm，绝对偏差≤±1微米，重复性1δ≤0.15微米，线性度±0.3% | ||||
| 翘曲度、弯曲度测试范围及精度 | 出厂检验报告 | TTV测试范围≤200微米，绝对偏差≤±0.5微米，重复性1δ≤0.25微米 翘曲度测试范围≤0.1mm，弯曲度测试范围≤±0.1mm | ||||
| 晶片电阻率检测系统 | 晶片厚度范围 | 现场测试 | 0.2mm~0.75mm | |||
| 电阻率测试范围及精度 | 现场测试 | 电阻率测试范围0.001Ω·cm~0.7Ω·cm，绝对偏差≤±3%@0.5mm，重复性≤1.5%@0.5mm | ||||
6.3 验收方式
在使用方所在地进行验收，验收形式由使用方与乙方联合开展测试。在完成验收合格后，使用方将组织召开验收评审会议。
7 应交付的文件资料
7.1 文件资料要求
a）文件资料应真实、齐全、详细、清晰，并与实物相符。
b）交付的文件资料应签署完整。
7.2 应交付的技术文件清单
a）《MEMS晶圆/表芯高真空探针测试系统研制总结报告》一份。
8 应交付的产品
a）MEMS晶圆/表芯高真空探针测试系统一套。
9 交货准备
9.1 包装要求
产品应用包装盒包装，采取适当减震措施，避免产品运输过程损伤。
包装标志应清晰并符合GB/T191包装储运图示标志的规定。内包装上应有防静电标志。
9.2 运输和贮存
产品应贮存在清洁、干燥、无污染的良好环境中。适时应采取静电防护措施。在运输期间，应避免雨、雪淋袭和剧烈机械撞击。
10 售后服务
★10.1、质保期：产品验收合格之日起1年。
10.2、技术支持及服务要求：需在2021年12月20日前完成产品的安装调试，并达到标书和技术文件要求的性能，确保厂家提供的设备是全新的、符合国际质量标准、中国有关部门手续完备、具有生产厂家质量保证书(或合格证明)的设备。应和用户一起按照响应文件要求以及产品设备配置数量进行验收。如果现场安装测试指标未通过，购买方有权要求退货并要求赔偿损失；
10.3、应无偿提供用户现场安装、调试及培训。安装工程师在用户现场安装调试完毕后，进行现场讲解培训，人员不限。保证用户掌握基本操作，可以正确操作使用仪器。提供操作手册，应提供系统所有仪器设备、软件、附件、备品备件等详细的操作手册；
10.4、应提供无偿专业培训名额不限，包括仪器的基本原理、操作、日常维护；
10.5、质保期为验收后12个月，质保期自产品验收合格双方签字之日起计算；终身提供技术支持和维修服务。在接到用户维修申请后2小时内做出响应，一般问题在到达现场后的24h内解决，重大问题或其它无法迅速解决的问题在一周内解决或提出明确解决方案。技术人员前往用户所在地进行维修时一切费用由乙方公司负担。
★10.6、保证长期、优惠、及时提供零备件和优质、优惠的维修服务，提供软件终生无偿升级。供货商在接到用户维修申请后 24 小时内派维修工程师到现场维修。质保期内，如产品出现故障（消耗品和人为损坏除外），质保期顺延。质保期内，由于仪器设计缺陷或仪器本身的质量问题，出现故障而连续 2个月内未将其修好，供货商保证无偿更换全新的产品(如有新型号同类产品，均无偿更换)；
10.7、在产品使用 3~6 个月后，需与用户协商，由制造商派高级应用人员在用户处进行产品操作、产品维护、软件应用的深入培训，并解答有关在产品使用过程中遇到的问题；
10.8、定期举办培训班，由高级应用人员培训讲解；
10.9、质保期满前 1 个月内应负责一次无偿全面检查，并写出正式报告，如发现潜在问题，应负责排除。
11 保密规定
本合同项目密级为公开。
乙方应当对使用方提供的资料、使用方的信息、商业秘密及技术秘密保密。未经使用方书面同意，乙方不得将上述信息透露或转让给第三方，也不得用于本合同之外的目的。若泄露需方秘密给使用方造成损失的，乙方应赔偿全部损失（该损失包括但不限于使用方的经济损失、名誉损失、使用方向第三方承担的违约及赔偿金、使用方为了维权所支付的诉讼费、律师费、公证费、保全费及调查费等全部损失）。本保密义务期限为永久，且不因本合同的无效、终止或解除而终止。
使用方应严格遵守的乙方商业秘密、技术秘密及实验场地的相关保密要求。未经乙方书面同意，使用方不得将上述信息透露或转让给第三方，也不得用于本合同之外的目的。若泄露乙方秘密给供方造成损失的，使用方应赔偿全部损失（该损失包括但不限于供方的经济损失、名誉损失、乙方向第三方承担的违约及赔偿金、乙方为了维权所支付的诉讼费、律师费、公证费、保全费及调查费等全部损失）。本保密义务期限为永久，且不因本合同的无效、终止或解除而终止。
微信扫码关注
