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印刷机、芯片焊接机、回流焊、超声波清洗机等设备374台(套),所需原材料IGBT芯片(8英寸晶圆)、FRD芯片等,均对外采购(本厂不生产芯片)
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应留有足够的电压、电流裕度,元件应有良好的dv/dt,di/dt特性。2)换流元件IGBT芯片应选用原装进口产品,耐压1700V。3)系统主电路应采用链式结构;星型或三角连接
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元)1IGBT结题审计业务约定书甲方委托乙方对2018年12月立项的“高速列车用IGBT芯片核心关键技术”国家重点研发计划项目(课题)结题进行审计1
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竞争性谈判文件附件-技术规范书3.2逆变单元技术要求:“换流元件IGBT芯片应选用原装进口产品,耐压1700V”修改为“换流元件IGBT芯片应选用原装进口产品
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单阀采用额定电压不低于4500V模块封装形式为压接式IGBT元器件,IGBT芯片不允许通过焊接方式连接,每个H桥上的功率半导体器件不允许通过并联的方
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序号产品名称数量简要技术规格备注1推进炉管设备2管立式炉管采用SIMF模式(E84通讯功能),用于IGBT芯片制造200mm硅片Pt推进工艺
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序号产品名称数量简要技术规格备注1高温氧化炉10管高温氧化炉管采用SIMF模式(E84通讯功能),用于IGBT芯片制造200mm硅高温氧化工艺。详见技术规格书★以上设备不分包
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序号产品名称数量简要技术规格备注1推进炉管设备2管立式炉管采用SIMF模式(E84通讯功能),用于IGBT芯片制造200mm硅片Pt推进工艺
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中国江苏省招标产品列表(主要设备):序号产品名称数量简要技术规格备注1尾气处理设备1套用于IGBT芯片制造中尾气处理详见技术规格书;★以上设备不分包。包中设备不得拆分投标。3
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中国江苏省招标产品列表(主要设备):序号产品名称数量简要技术规格备注1尾气处理设备1套用于IGBT芯片制造中尾气处理详见技术规格书;★以上设备不分包。包中设备不得拆分投标。3
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中国江苏省招标产品列表(主要设备):序号产品名称数量简要技术规格备注1尾气处理设备1套用于IGBT芯片制造中尾气处理详见技术规格书;★以上设备不分包。包中设备不得拆分投标。3
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中国江苏省招标产品列表(主要设备):序号产品名称数量简要技术规格包1LPCVD设备14管用于IGBT芯片制造200mm硅片LPCVD工艺
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T器件测试与可靠性技术研究”(2016YFB0901804)、“高压大功率SiCIGBT芯片与器件老化机理和可靠性提升方法”(2018YFB0905704)
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干泵设备,数量36套;主要技术参数:本设备主要用于IGBT芯片制造过程中,处理洁净工艺的气体和处理粉尘和重污染工艺的气体
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干泵设备,数量36套;主要技术参数:本设备主要用于IGBT芯片制造过程中,处理洁净工艺的气体和处理粉尘和重污染工艺的气体
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干泵设备,数量36套;主要技术参数:本设备主要用于IGBT芯片制造过程中,处理洁净工艺的气体和处理粉尘和重污染工艺的气体
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中国江苏省招标产品列表(主要设备):序号产品名称数量简要技术规格备注1硅刻蚀设备5台用于IGBT芯片制造中完成沟道截止层刻蚀(channelstop)、浅硅凹槽Indent刻蚀
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序号产品名称数量简要技术规格备注1AOI设备1台本设备主要用于IGBT芯片制造过程中全自动缺陷检测★以上设备不分包。包中设备不得拆分投标。3
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中国江苏省招标产品列表(主要设备):序号产品名称数量简要技术规格备注1氢气退火炉6管用于IGBT芯片制造200mm硅片氢气退火工艺的立式退火炉。详见技术规格书
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中国江苏省招标产品列表(主要设备):序号产品名称数量简要技术规格备注1硅刻蚀设备5台用于IGBT芯片制造中完成沟道截止层刻蚀(channelstop)、浅硅凹槽Indent刻蚀
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序号产品名称数量简要技术规格备注1光刻版存储设备1台该设备用于200mmIGBT芯片制造中光刻板自动存储。其他详见技术规格书。★本项目所有设备不分包
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中国江苏省招标产品列表(主要设备):序号产品名称数量简要技术规格1硅刻蚀设备5台5台用于IGBT芯片制造中完成沟道截止层刻蚀(channelstop)
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中国江苏省招标产品列表(主要设备):序号产品名称数量简要技术规格备注包1LPCVD设备14管用于IGBT芯片制造200mm硅片LPCVD工艺。其他详见技术规格书★包中设备不得拆分投标
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中国江苏省招标产品列表(主要设备):序号产品名称数量简要技术规格备注包1氢气退火炉6管用于IGBT芯片制造200mm硅片氢气退火工艺的立式退火炉。详见技术规格书
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序号产品名称数量简要技术规格备注1光刻版存储设备1台该设备用于200mmIGBT芯片制造中光刻板自动存储。其他详见技术规格书。★本项目所有设备不分包
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序号产品名称数量简要技术规格1RTP设备2台RTP设备2台该设备采用SIMF模式(E84通讯功能),用于IGBT芯片制造200mm硅片RTO\soak\spike工3
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序号产品名称数量简要技术规格1氧化层刻蚀机4台氧化层刻蚀机4台该设备需要配置完整的传送系统,用于IGBT芯片制造中完成接触孔刻蚀、场限环刻3、投标人资格要求投标人应具备的资格或业绩
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序号产品名称数量简要技术规格备注1RTP设备2台该设备采用SIMF模式(E84通讯功能),用于IGBT芯片制造200mm硅片RTO\soak\spike工艺1、详见技术规格书。2
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电压220v,功率8000w,足1.2mm加厚不锈钢,8档磁控,防干烧,升级IGBT芯片。6台;抽屉式消毒柜:志高电压220v,功率1800w
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指导柔直换流阀功率模块故障解体分析和失效原因判断。(2)考虑瞬态均流和动态耐压特性的IGBT芯片仿真及可靠性提升方法研究。识别IGBT器件芯片安全运行域及薄弱点关键影响参数
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18CST2023中标价3350元成交供应商北京启迪时代科技有限公司供应商地址采购清单序号名称规格型号数量1IGBT芯片启迪时代/IRGIB10B60KDI20个2电源板启迪时代/eEEP-03
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序号产品名称数量简要技术规格备注1AOI设备1台本设备主要用于IGBT芯片制造过程中全自动缺陷检测以上设备不分包。包中设备不得拆分投标3
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体功率器件200mm有图形晶圆制造过程中的全自动缺陷观察。3AOI2台用于8英寸IGBT芯片制造过程中的全自动缺陷检测4颗粒仪2台该设备需要配置完整的传送系统和量测系统
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率器件200mm有图形晶圆制造过程中的全自动缺陷观察。3AOI2台2台用于8英寸IGBT芯片制造过程中的全自动缺陷检测4颗粒仪2台2台该设备需要配置完整的传送系统和量测系统
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中国湖南省招标产品列表(主要设备):序号产品名称数量简要技术规格备注1干法去胶设备1台主要用于IGBT芯片干法去胶工艺,设备具备全自动功能全新3、投标人资格要求投标人应具备的资格或业绩
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中国湖南省招标产品列表(主要设备):序号产品名称数量简要技术规格备注1尾气处理设备4台/套用于IGBT芯片制造中工艺设备的尾气处理以上设备不分包。包中设备不得拆分投标。3
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中国湖南省招标产品列表(主要设备):序号产品名称数量简要技术规格备注1干法去胶设备1台主要用于IGBT芯片干法去胶工艺,设备具备全自动功能全新3、投标人资格要求投标人应具备的资格或业绩
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定制IGBT芯片发布单位:扬州国扬电子有限公司发布时间:2022/12/12项目概况:因科研生产需要,采购IGBT芯片一批投标人资格条件
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公示采购项目及拟定的唯一供应商采购项目名称供应商名称基于精细沟槽技术的1200VIGBT芯片研究与光伏用IGBT器件研制绍兴中芯集成电路制造股份有限公司备注公示
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中国湖南省招标产品列表(主要设备):序号产品名称数量简要技术规格备注1干法去胶设备2台主要用于IGBT芯片干法去胶工艺,设备具备全自动功能全新3、投标人资格要求投标人应具备的资格或业绩
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序号产品名称数量简要技术规格备注1chiller设备9台/套本设备主要用于IGBT芯片制造中刻蚀设备工艺腔体的温度控制以上设备不分包。包中设备不得拆分投标。3
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中国湖南省招标产品列表(主要设备):序号产品名称数量简要技术规格备注1硅刻蚀设备1台/套用于IGBT芯片制造过程中的刻蚀工艺本项目为一个整包,包中设备不得拆分投标
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其中栅氧炉2管;中温氧化炉7管;高温氧化炉13管;氧化扩散炉管用于IGBT芯片制造中完成一般氧化工艺、薄膜致密化工艺、栅氧工艺
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包2:氢气退火炉,数量3管;主要技术参数:氢气退火炉用于IGBT芯片制造200mm硅片氢气退火工艺的立式炉;详见招标文件第八章货物需求一览表及技术规格
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包1:LPCVD,数量12管;主要技术参数:LPCVD用于IGBT芯片制造中完成POLY、SiPOS、SiN工艺的立式炉;详见招标文件第八章货物需求一览表及技术规格
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包2:氢气退火炉,数量4管;主要技术参数:氢气退火炉用于IGBT芯片制造200mm硅片氢气退火工艺的立式炉;详见招标文件第八章货物需求一览表及技术规格
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其中栅氧炉2管;中温氧化炉7管;高温氧化炉13管;氧化扩散炉管用于IGBT芯片制造中完成一般氧化工艺、薄膜致密化工艺、栅氧工艺
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包1:LPCVD,数量12管;主要技术参数:LPCVD用于IGBT芯片制造中完成POLY、SiPOS、SiN工艺的立式炉;详见招标文件第八章货物需求一览表及技术规格